教育和工作经历

• 2021年8月-至今，复旦大学材料科学系，研究员，博士生导师

• 2014年10月-2021年7月，华东师范大学，研究员，博士生导师，紫江青年学者

• 2013年7月-2014年9月，中国南方电网公司广西电力科学研究院，研发工程师

• 2012年6月-2013年6月，日本国家材料科学研究院 (National Institute for Materials Science, Japan)，博士后

• 2007年9月-2012年6月，华东师范大学，硕博连读，专业：微电子学与固体电子学，导师：褚君浩院士

研究方向

• 面向集成电路应用的先进晶体管材料与器件

招生专业

博士研究生(学术型：电子科学与技术；专业型：材料与化工)：本科直博、硕博连读、四年制博士

硕士研究生(学术型：电子科学与技术；专业型：材料与化工)：学制三年

欢迎有志于在以上方向从事科学研究的博士生和硕士生联系报考！

研究方向偏微电子和集成电路，报考前请务必致信：liwenwu@fudan.edu.cn

已毕业研究生主要去向为高校和集成电路行业，包括：高校(3人)、华为(2人)、中芯国际（1人）、AMD公司(2人)、SanDisk公司(2人)、ARM公司(1人)、长鑫存储(1人)

特别欢迎博士后，青年副研究员，青年研究员加入课题组！

学术成果

  主要研究领域包括面向集成电路应用的先进晶体管材料与器件。近年来，参与了国家重点研发计划等十余项课题研究。主持了国家自然科学基金面上项目(2项)、联合基金、青年基金等12个项目。迄今共发表第一或通讯作者论文75篇，包括Science，Nature Communications (3篇), Science Advances, 微电子器件著名期刊IEEE Electron Device Letters (4篇), IEEE Transactions on Electron Devices (8篇)和Advanced Materials (4篇), ACS Nano/Nano Letters (3篇), Advanced Functional Materials (7篇)。在晶体管结构设计、测试建模、制造工艺等领域已申请国家发明专利28 项，近5 年获授权发明专利19 项，获软件著作权3 项。曾获上海市自然科学二等奖(3/5)、上海市青年拔尖人才计划和中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛全国总决赛金奖(指导教师)。

以第一或者通讯作者发表的代表性论文(20篇)

1. Developing Fatigue-Resistant Ferroelectrics using Interlayer Sliding Switching, Science, 385, 57-62 (2024).

2. Emergence of Ferroelectricity in Sn-based Perovskite Semiconductor Films by Iminazole Molecular Reconfiguration, Nature Communications, 16, 365 (2025).

3. Silicon–van der Waals Heterointegration for CMOS-Compatible Logic-in-Memory Design, Science Advances, 9, eadk1597 (2023).

4. Programmable Ferroelectric Bionic Vision Hardware with Selective Attention for High-Precision Image Classification, Nature Communications, 13, 7019 (2022).

5. Oxidation-Bootsted Charge Trapping in Ultra-Sensitive van der Waals Materials for Artificial Synaptic Features, Nature Communications, 11, 2972 (2020).

6. Ferroelectric Perovskite/MoS2 Channel Heterojunctions for Wide-Window Nonvolatile Memory and Neuromorphic Computing, Advanced Materials, 37, 2414339 (2025).

7. High-Performance Tin-Halide Perovskite Transistors Enabled by Multiple A-Cation Engineering. Advanced Functional Materials, 34, 2403917 (2024).

8. Multi-Factor Modulated Organic Bulk Heterojunction Synaptic Transistor Enabled by Ligand Engineering for Centrosymmetric In-Sensor Computing, Advanced Functional Materials, 34, 2314980 (2024).

9. The Integration of Two-Dimensional Materials and Ferroelectrics for Device Applications, ACS Nano, 18, 1778 (2024).

10. Ultralow Off-State Current and Multilevel Resistance State in Van der Waals Heterostructure Memristors, Advanced Functional Materials, 34, 2309642 (2024).

11. Enhanced Mobility in C8-BTBT Field-Effect Transistors With Iodine-Doping, IEEE Electron Device Letters, 45, 1949 (2024).

12. High-Mobility Thin-Film Transistors Based on InZnGeO Channel Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 6725 (2024).

13. Top-Gated Organic Synaptic Transistor With PS/PVA Hybrid as Trapping Layer for Excitatory Behavior Modulation, IEEE Electron Device Letters, 44, 1308 (2023).

14. High-Performance Sliding Ferroelectric Transistor Based on Schottky Barrier Tuning, Nano Letters, 23, 4595 (2023).

15. A Large Bandgap Organic Salt Dopant for Sn-Based Perovskite Thin-Film Transistor, Advanced Functional Materials, 33, 2303759 (2023).

16. Pursuing High-Performance Organic Field-Effect Transistors through Organic Salt Doping, Advanced Functional Materials, 32, 2111285 (2022).

17. Highly Radiation-Tolerant Polymer Field-Effect Transistors with Polystyrene Dielectric Layer, Nano Energy, 100, 107452 (2022).

18. Effects of Ni Doping Composition on the Physical and Electrical Properties of Cu_1−xNi_xO Thin-Film Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 69, 1092 (2022).

19. Mimic Drug Dosage Modulation for Neuroplasticity Based on Charge-Trap Layered Electronics, Advanced Functional Materials, 31, 2005182 (2021).

20. Electron Injection Improvement of n-type Organic Field-Effect Transistors with Indium Contact Interlayer, IEEE Transactions on Electron Devices, 68, 2440 (2021).