上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海自贸区临港新片区。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的高素质核心团队，自成立之日起便启动6英寸SiC MOSFET的产品研发工作。经过三年的深度研发和极力攻关，成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺，以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。

这家公司的创始人正是复旦大学材料科学系的校友张永熙博士。张永熙硕士毕业于复旦大学材料科学系，后在新泽西州立大学（Rutgers University）攻读博士，读博期间，研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路，并于2008年获得博士学位。博士毕业后就职于美国TI公司模拟技术研发部，入选Senior Member Technical Staff。2017年7月创办上海瞻芯电子科技有限公司，并始终专注于碳化硅功率器件芯片和驱动芯片的产业化。目前，张博士共持有美国发明专利16项、中国发明专利4项。

众所周知，碳化硅（SiC）是宽禁带（Wide Band Gap）半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。近年来，随着6英寸碳化硅（SiC）晶圆在国际上的大规模投产，必将快速推进形成绿色节能的碳化硅（SiC）半导体产业链，更能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证，推进混合和纯电动汽车（HEV/EV）、太阳能光伏、风力发电、高铁及轨道交通、智能电网、智能家电以及航空航天等产业发生革命性的改变。

10月16日，首片国产6英寸碳化硅MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆在临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。

这就是首片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆，基于碳化硅也就是第三代半导体材料制成，用于例如新能源车、光伏发电等新能源产业，是核心的工艺半导体芯片。目前市面上在该领域使用的主流的工艺半导体器件是硅基器件，而使用碳化硅器件，其效率、功率密度会进一步提升。上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍：“目前从芯片的成本角度确实比硅基芯片要高大概至少2到5倍之间，但是由于用了碳化硅器件以后可以带来系统成本的降低，包括性能的提升，长远来看效益还是更好。”2017年7月，上海瞻芯在临港注册，成立之初，他们就对标国际先进的技术，同时前瞻性的开发以6英寸为主的碳化硅晶圆，历经1152天，终于攻克而成。

据行业媒体反馈，国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等等都已经在旗舰产品系列中广泛使用了碳化硅（SiC）MOSFET。国际上，欧洲的350kW超级充电站已经采用了碳化硅（SiC）MOSFET功率模块产品；在新一代新能源车里的双向车载充电器以及高性能电驱动单元，也成为碳化硅（SiC）MOSFET应用的绝佳场所。

上海瞻芯电子将按照既定目标，一步一个脚印，夯实每一个工艺和设计环节，精雕细凿，奋力拼搏，争取早日实现工业级（JEDEC）和车规级（AEC Q101）碳化硅（SiC）MOSFET产品量产，并始终致力于成为国际一流的功率半导体芯片公司，为国家未来十年的高端芯片以及新能源事业贡献自己的力量。