2010年授权专利
发布时间:2013-10-29 
 
序号 授权日 发明名称 专利号 发明人
1 2010.05.19 一种测定阳极氧化铝模板有效孔密度的电化学方法 200610147667.X 崔晓莉,赵强,李志州,孙子颖,江志裕
2 2010.05.19 一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法 200710044502.4 徐伟,季欣
3 2010.05.05 一种动态分子基电子器件及其操作方法 200510111538.0 徐伟
4 2010.05.19 一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制备方法 200710044248.8 徐伟,唐佳其,季欣
5 2010.06.16 一种生物降解性纳米胶束控释制剂的制备方法 200710036815.5 李速明,韦嘉,杨柳
6 2010.08.25 一种测定半导体电极光催化制氢活性的方法 200710041160.0 崔晓莉,江志裕
7 2010.08.25 一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法 200810038578.0 徐伟,董元伟
8 2010.12.08 一种分子基自组装的高长径比有机线材及其制备方法 200610027199.2  ;邹振光
9 2010.09.29 可校准直流全光纤干涉方法及系统 200810034026.2 洪广伟; 
10 2010.11.17 具有可见光活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法及其应用 200910046919.3 崔晓莉; ;张晓艳;顾君嗣
11 2010.11.17 一种二层柔性覆铜板的制备方法 200910046662.1 吕银祥
12 2010.11.17 一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法 200810038579.5  ;董元伟
13 2010.11.17 硼氢化物与氯化镁氨络合物的复合储氢材料的制备方法 200910048746.9 余学斌;郭艳辉; ;夏广林
14 2010.12.15 非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 200810039208.9  ;黄延伟;李桂峰
15 2010.12.15 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法 200810036561.1  ; ; ;王颖华
16   一种覆铜电磁波屏蔽织物的制备方法 200910048743.5 吕银祥
17 2010.12.15 一种提高不锈钢抗点蚀能力的方法 200810033033.0 蒋益明;廖家兴;孙道明; ; 
18 2010.12.15 一种硅纳米管的制备方法 200810038215.7 陈扬文;江素华;邵丙铣; 
 
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